意大利阿托斯ATOS控制軸放大版

電路板上的電子元件，元件和器件還是有本質區(qū)別的，元件就電阻，電容，電感這幾種，它們在生產中不改變內部的分子結構，也就是性能只取決于材料。器件一般都是指各種半導體，比如二極管，三極管等，它們在生產時要改變其中的分子結構。比如三極管在生產時要使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)，這樣就改變了其中的分子結構，所以是一種器件。下面根據(jù)題意來分別說一下幾種元件的作用。

　1、電阻的作用

　　電阻在電路中被大量使用，作用不外乎有幾種，分流，分壓，限流等。電阻并聯(lián)分流，串聯(lián)分壓，至于限流，我們使用的發(fā)光二極管一般都會串聯(lián)一個電阻，這個電阻的作用就是限流，以免電流過大燒壞發(fā)光二極管

　2、電容的作用

　　電容的作用就多了，有濾波，旁路，耦合，儲能等。我們在電路板上經(jīng)常見到并使用的就是濾波功能了，只要是電源電路都會用到電容濾波。不管什么作用，都是利用了電容隔直通交，通高阻低的特性。

　3、電感的作用

　　電感在電路中使用的不如電阻和電容多，主要作用有濾波，振蕩，延遲，陷波等，不管是什么作用，都是利用了電感通直隔交，通低阻高的特性，和電容相反。

意大利阿托斯ATOS控制軸放大版

ATOS放大器型號：

E-BM-AC-011F,  

E-BM-AC-011F/I

E-BM-AC-01F /RR, 

E-BM-AC-01F 11 /2,   

E-BM-AC-01F 11 /3,

E-BM-AC-01F/RR 11 /1,   

E-BM-AC-05F 11 /3,

E-BM-AC-05F 11 /4,   

E-BM-AC-05F/RR 11 /3, 

E-K-11B,   

E-K-32M,E-K-32P,   

E-ME-AC-01F 20, 

E-ME-AC-01F 20 /1,   

E-ME-AC-01F 20 /2, 

E-ME-AC-01F 20 /3,  

E-ME-AC-01F 20 /4,

E-ME-AC-01F 20 /6, 

E-ME-AC-01F 20 /A1,   

E-ME-AC-01F 20 /A2,

E-ME-AC-01F 20 /A4,   

E-ME-AC-01F/4R-4 20, 

E-ME-AC-01F/4R-4 20 /2,  

E-ME-AC-01F/4R-4 20 /3,  

E-ME-AC-01F/4R-4 20 /6,  

E-ME-AC-01F/I 20, 

E-ME-AC-01F/I 20 /2,  

E-ME-AC-01F/I 20 /4, 

E-ME-AC-01F/I 20 /6,  

E-ME-AC-01F/RR 20 /4,  

E-ME-AC-01F/RR 20 /A2, 

E-ME-AC-01F/RR-4 20, 

E-ME-AC-01F/RR-4 20 /3,  

E-ME-AC-01F/RR-4 20 /6,  

E-ME-AC-01F-4 20 /2,  

E-ME-AC-05F 20 ,  

E-ME-AC-05F 20 /2,

E-ME-AC-05F 20 /3,  

E-ME-AC-05F 20 /4,   

E-ME-AC-05F 20 /A3,  

E-ME-AC-05F/4R-4 20 /3, 

E-ME-AC-05F/4R-4 20 /4,  

E-ME-AC-05F/I 20,  

E-ME-AC-05F/I 20 /3,  

E-ME-AC-05F/I 20 /4,  

E-ME-AC-05F/RR 20,   

E-ME-AC-05F/RR 20 /3,

E-ME-AC-05F/RR 20 /4,  

E-ME-AC-05F/RR-4 20 /3,  

E-ME-AC-05F/RR-4 20 /4,   

E-ME-AC-05F-4 20 /3,

E-ME-AC-05F-4 20 /4,   

E-ME-K-PID,  

E-ME-L-01H 40 /DL17SA,   

E-ME-L-01H 40 /DL26SB, 

E-ME-L-01H 40 /DL27SB,   

E-ME-L-01H 40 /DL27SB, 

E-ME-L-01H 40 /DL27SB,   

E-ME-L-01H 40 /DL35SB,

E-ME-L-01H 40 /DL67SA,   

E-ME-L-01H 40 /LQ22SA, 

E-ME-L-01H 40 /LQ32SA,   

E-ME-L-01H 40/DL27SB,  

E-ME-L-01H 40/PCNNSA,   

E-ME-L-01H/DL27SB, 

放大器失調注意事項

放大器輸入失調電壓參數(shù)實測時，需要注意如下幾點：

（1）供電電源要求低紋波、低噪聲，例如電池。

（2）電路的工作溫度保證在25℃，并遠離發(fā)熱源。在電路上電工作穩(wěn)定，板卡溫度沒有變化以后進行測量。

（3）失調電壓測試誤差可能來自寄生熱電偶結點，這是由兩種不同金屬連接而形成的。例如,電路同相輸入端的電阻R3，可以匹配反相輸入路徑中的熱電偶結點。熱電偶電壓范圍通常在2~40μV/oC以上,并且隨溫度明顯變化。

（4）電阻的兩個引腳焊接在相同的金屬（PCB銅走線）會產生兩個大小相等、極性相反的熱電電壓。在兩者溫度*相同時，這兩個熱電電壓會相互抵消。所以，控制焊盤和PCB走線長度，減小溫度梯度可以提高測量精度。

E-ME-L-01H/I 40 /LQ32SA,   

E-ME-T-01H 40 /DH04SA, 

E-ME-T-01H 40 /DH05SA,   

E-ME-T-01H 40 /DK14SC,  

E-ME-T-01H 40 /DK15SB,   

E-ME-T-01H 40 /QV0NSA,

E-ME-T-01H 40 /TK14AA,   

E-ME-T-01H 40 /TK14SC, 

E-ME-T-01H 40 /TQ25SA,   

E-ME-T-01H 40 /TQ32SA, 

E-ME-T-01H 40 /TQ42SA,   

E-ME-T-01H 40/DK14SC, 

E-ME-T-01H 40/DK15SB,   

E-ME-T-01H 40/QV1NSB,

E-ME-T-01H 40/TQ25SA,

E-ME-T-01H/I 40 /DH04SA,   

E-ME-T-01H/I 40 /DK14SC, 

E-ME-T-01H/I 40 /DP25SB,   

E-ME-T-01H/I 40 /DP25SC,  

E-ME-T-01H/I 40 /QV0NSA,   

E-ME-T-01H/I 40 /TQ25SA,  

E-ME-T-01H/I 40/DK15SB,   

E-ME-T-01H/I 40/QVONSA,  

E-ME-T-01H/I 40/TQ25SA,   

E-ME-T-05H 40 /DH07SA, 

E-ME-T-05H 40 /DK17SA,   

E-ME-T-05H 40 /DK17SB,

E-ME-T-05H 40 /DP27SB,   

E-ME-T-05H 40/DH07SA,

E-ME-T-05H 40/DK17SB,   

E-ME-T-05H 40/DP27SB,  

E-ME-T-05H/I 40 /DK17SB,   

E-ME-T-05H/I 40 /DP27SB,

E-ME-T-05H/I 40/DH07SA,   

E-ME-T-05H/I 40/DK17SB, 

E-ME-T-05H/I 40/DP27SB,   

E-MI-AC-01F 11 /1,

E-MI-AC-01F 11 /2,   

E-MI-AC-01F 11 /3, 

E-MI-AC-01F 11 /4,

E-MI-AC-01F 11 /6,   

E-MI-AC-01F/7 11 /3,  

E-MI-AC-01F/7 11 /4,   

E-MI-AC-01F/RR 11 /1, 

E-MI-AC-01F/RR 11 /2,   

E-MI-AC-01F/RR 11 /3,  

E-RACK3HE21TE,   

E-RACK3HE28TE,   

E-RACK3HE42TE, 

E-RACK3HE49TE,  

 放大電路（amplIFication circuit）能夠將一個微弱的交流小信號（疊加在直流工作點上），通過一個裝置（核心為晶體管、場效應管），得到一個波形相似（不失真），但幅值卻大很多的交流大信號的輸出。

“共射放大電路"是經(jīng)常被使用的基本放大電路

“共射放大電路"是把發(fā)射極連接在0V的地電位上（稱為“接地"）構成的放大電路，也稱為“發(fā)射極接地"。輸出電壓VOUT(V)取自集電極電壓VC(V)。

在通過電流實現(xiàn)電壓放大的情況下，需要選擇合適的電阻

晶體管是實現(xiàn)電流放大的基本元件，但在電子電路中通常是需要進行電壓信號放大的，因此，晶體管也被用作放大電壓的電子電路的基本元件。要想將晶體管用于電壓放大電路，在信號輸入端通過電阻將輸入電壓轉化為電流，并加載到基極，電路的輸出阻抗將晶體管的放大電流轉化為電路的放大電壓，然后在集電極輸出。

要放大信號，就要選擇適當大小的電阻，只有這樣，才能讓電子電路按照預想的計劃進行放大。

用等效電路分析放大電路的結構

在基極，直流電壓VBIAS(V)與交流（信號）電壓源VIN(V)相串聯(lián)，基極電阻RB(Ω)連接在基極與交流（信號）電壓源之間。

基極與發(fā)射極之間的電壓VBE，我們把它等效為一個二極管，導通電壓為0.6~0.7V，并且需要從外部提供相應的電壓VBIAS。

當交流（信號）電壓源變化時，基極電阻RB上基極電流IB(A)發(fā)生變化，從而引起集電極電流IC(A)也發(fā)生變化。

IC=hFE*IB

這是電流“控制"的關系式。將基極電流IB放大hFE倍，其數(shù)值等于集電極電流IC。

集電極電流的變化通過電阻可以轉化為輸出電壓

集電極電流IC的變化會引起電阻RC(Ω)兩端電壓的變化。集電極電壓VC，正是基極的交流電壓經(jīng)過放大所得到的。

輸入信號VIN經(jīng)過晶體管放大電路，得到的放大的電壓信號為VC，VIN和VC的波形的極性是相反的。

0放大電路（amplIFication circuit）能夠將一個微弱的交流小信號（疊加在直流工作點上），通過一個裝置（核心為晶體管、場效應管），得到一個波形相似（不失真），但幅值卻大很多的交流大信號的輸出。

“共射放大電路"是經(jīng)常被使用的基本放大電路

“共射放大電路"是把發(fā)射極連接在0V的地電位上（稱為“接地"）構成的放大電路，也稱為“發(fā)射極接地"。輸出電壓VOUT(V)取自集電極電壓VC(V)。

在通過電流實現(xiàn)電壓放大的情況下，需要選擇合適的電阻

晶體管是實現(xiàn)電流放大的基本元件，但在電子電路中通常是需要進行電壓信號放大的，因此，晶體管也被用作放大電壓的電子電路的基本元件。要想將晶體管用于電壓放大電路，在信號輸入端通過電阻將輸入電壓轉化為電流，并加載到基極，電路的輸出阻抗將晶體管的放大電流轉化為電路的放大電壓，然后在集電極輸出。

要放大信號，就要選擇適當大小的電阻，只有這樣，才能讓電子電路按照預想的計劃進行放大。

利用等效電路分析放大電路的結構

在基極，直流電壓VBIAS(V)與交流（信號）電壓源VIN(V)相串聯(lián)，基極電阻RB(Ω)連接在基極與交流（信號）電壓源之間。

基極與發(fā)射極之間的電壓VBE，我們把它等效為一個二極管，導通電壓為0.6~0.7V，并且需要從外部提供相應的電壓VBIAS。

當交流（信號）電壓源變化時，基極電阻RB上基極電流IB(A)發(fā)生變化，從而引起集電極電流IC(A)也發(fā)生變化。

IC=hFE*IB

這是電流“控制"的關系式。將基極電流IB放大hFE倍，其數(shù)值等于集電極電流IC。

集電極電流的變化通過電阻可以轉化為輸出電壓

集電極電流IC的變化會引起電阻RC(Ω)兩端電壓的變化。集電極電壓VC，正是基極的交流電壓經(jīng)過放大所得到的。

輸入信號VIN經(jīng)過晶體管放大電路，得到的放大的電壓信號為VC，VIN和VC的波形的極性是相反的。

實際的電路上可使用偏置電路

不同的晶體管（即使是一樣的型號）電流放大倍數(shù)也存在不同，同時，電流放大倍數(shù)也根據(jù)周圍溫度的變化而變化，所以這樣的電路是不穩(wěn)定的。

所以，在實際的電路中，經(jīng)常采用“偏置電路"，這樣的電路不受各種參數(shù)差異和溫度變化的影響。

練習題：通過本文所學的晶體管簡化等效電路，試著分析共射放大電路的集電極輸出時，電路的輸出阻抗ROUT的大小。

E-RACK3HE56TE,E-RACK3HE84TE,   

E-RI-TE-01H 40 /DH04SA,

E-RI-TE-01H/I 40 /DH04SA,   

E-RI-TE-05H 40 /DK17SB, 

E-RP-AC-01F/I 10 /2,   

E-RP-AC-01F/I 10 /A1, 

E-RP-AC-05F 10 /4,   

E-SD/DC,   

E-SR/DC,

E-MI-AC-01F,

E-BM-AC-01F,

E-BM-AC-011F,

E-BM-AC-05F,

E-ME-AC,

E-RP-AC,

E-ME-T-01H,

E-ME-L-01H,

E-ME-T-21H,

E-ME-T-25H,

E-ME-K-PID,

E-ME-K-OPQ,

E-ME-Y-OFGATOS蓋板型號：LIDA-1/F,LIDA-1/WP,LIDA-2/F,LIDA-2/WP,

LIDA-3/F,LIDA-3/WP,LIDB-1/F,LIDB-1/WP,

LIDB-2/F,LIDB-2/WP,LIDB-3/F,LIDB3/WP,

LIDEW-1/F,LIDEW-1/E,LIDEW-1/WP,

LIDEW-2/F,LIDEW-2/E,LIDEW-2/WP,LIDEW-3/F,

LIDEW-3/E,LIDEW3/WP,LIDBH-1/F,

LIDBH-1/E,LIDBH-1/WP,LIDBH-2/F,LIDBH-2/E,

LIDBH-2/WP,LIDBH-3/F,LIDBH-3/E,LIDBH-3/WPATOS

前置放大器是指置于信源與放大器級之間的電路或電子設備，例如置于光盤播放機與高級音響系統(tǒng)功率放大器之間的音頻前置放大器。前置放大器是專為接收來自信源的微弱電壓信號而設計的，已接收的信號先以較小的增益放大，有時甚至在傳送到功率放大器級之前便先行加以調節(jié)或修正，如音頻前置放大器可先將信號加以均衡及進行音調控制。無論為家庭音響系統(tǒng)還是PDA設計前置放大器，都要面對一個十分頭疼的問題，即究竟應該采用哪些元件才恰當？

　　元件選擇原則

　　由于運算放大器集成電路體積小巧、因此目前許多前置放大器都采用這類運算放大器芯片。我們?yōu)橐繇懴到y(tǒng)設計前置放大器電路時，必須清楚知道如何為運算放大器選定適當?shù)募夹g規(guī)格。在設計過程中，系統(tǒng)設計工程師經(jīng)常會面臨以下問題。

　　1、是否有必要采用高精度的運算放大器？

　　輸入信號電平振幅可能會超過運算放大器的錯誤容限，這并非運算放大器所能接受。若輸入信號或共模電壓太微弱，設計師應該采用補償電壓（Vos）極低而共模抑制比（CMRR）*的高精度運算放大器。是否采用高精度運算放大器取決于系統(tǒng)設計需要達到多少倍的放大增益，增益越大，便越需要采用較高準確度的運算放大器。

　　2、運算放大器需要什么樣的供電電壓？

　　這個問題要看輸入信號的動態(tài)電壓范圍、系統(tǒng)整體供電電壓大小以及輸出要求才可決定，但不同電源的不同電源抑制比（PSRR）會影響運算放大器的準確性，其中以采用電池供電的系統(tǒng)所受影響最大。此外，功耗大小也與內部電路的靜態(tài)電流及供電電壓有直接的關系。

　　3、輸出電壓是否需要滿擺幅？

　　低供電電壓設計通常都需要滿擺幅的輸出，以便充分利用整個動態(tài)電壓范圍，以擴大輸出信號擺幅。至于滿擺幅輸入的問題，運算放大器電路的配置會有自己的解決辦法。由于前置放大器一般都采用反相或非反相放大器配置，因此輸入無需滿擺幅，原因是共模電壓（Vcm）永遠小于輸出范圍或等于零（只有極少例外，例如設有浮動接地的單供電電壓運算放大器）。

　　4、增益帶寬的問題是否更令人憂慮？

　　是的，尤其是對于音頻前置放大器來說，這是一個非常令人憂慮的問題。由于人類聽覺只能察覺大約由20Hz至20kHz頻率范圍的聲音，因此部分工程師設計音頻系統(tǒng)時會忽略或輕視這個“范圍較窄"的帶寬。事實上，體現(xiàn)音頻器件性能的重要技術參數(shù)如低總諧波失真（THD）、快速轉換率（slew rate）以及低噪聲等都是高增益帶寬放大器所必須具備的條件。

　　深入了解噪聲

　　在設計低噪聲前置放大器之前，工程師必須仔細審視源自放大器的噪聲，一般來說，運算放大器的噪聲主要來自四個方面：

　　1、熱噪聲 （Johnson）：由于電導體內電流的電子能量不規(guī)則波動產生的具有寬帶特性的熱噪聲，其電壓均方根值的正方與帶寬、電導體電阻及絕對溫度有直接的關系。對于電阻及晶體管（例如雙極及場效應晶體管）來說，由于其電阻值并非為零，因此這類噪聲影響不能忽視。

　　2、閃爍噪聲（低頻）：由于晶體表面不斷產生或整合載流子而產生的噪聲。在低頻范圍內，這類閃爍以低頻噪聲的形態(tài)出現(xiàn)，一旦進入高頻范圍，這些噪聲便會變成“白噪聲"。閃爍噪聲大多集中在低頻范圍，對電阻器及半導體會造成干擾，而雙極芯片所受的干擾比場效應晶體管大。

　　3、射擊噪聲（肖特基）：肖特基噪聲由半導體內具有粒子特性的電流載流子所產生，其電流的均方根值正方與芯片的平均偏壓電流及帶寬有直接的關系。這種噪聲具有寬帶的特性。

　　4、爆玉米噪聲（popcorn frequency）：半導體的表面若受到污染便會產生這種噪聲，其影響長達幾毫秒至幾秒，噪聲產生的原因仍然未明，在正常情況下，并無一定的模式。生產半導體時若采用較為潔凈的工藝，會有助減少這類噪聲。

　　此外，由于不同運算放大器的輸入級采用不同的結構，因此晶體管結構上的差異令不同放大器的噪聲量也大不相同。下面是兩個具體例子。

　　1、雙極輸入運算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由電阻的熱噪聲以及輸入基極電流的高頻區(qū)射擊噪聲所造成，低頻噪聲電平大小取決于流入電阻的輸入晶體管基極電流產生的低頻噪聲；噪聲電流主要由輸入基極電流的射擊噪聲及電阻的低頻噪聲所產生。

　　2、CMOS 輸入運算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由高頻區(qū)通道電阻的熱噪聲及低頻區(qū)的低頻噪聲所造成，CMOS放大器的轉角頻率（corner frequency）比雙極放大器高，而寬帶噪聲也遠比雙極放大器高；噪聲電流主要由輸入門極漏電的射擊噪聲所產生，CMOS放大器的噪聲電流遠比雙極放大器低，但溫度每升高10（C，其噪聲電流便會增加約40%。